，具有晶体管的放大功能和二极管的保护功能。在正常工作状态下，MOS管只允许电流从源极流向漏极，不允许反着流动。
MOS管的工作原理是基于半导体材料中的PN结和电场效应。其结构由四部分所组成：源极、漏极、栅极和绝缘层。当栅极与源极之间的电压为零时，绝缘层中的电场引起了半导体中的负载电荷聚集，形成一个由N型或P型半导体构成的导电通道，使得漏极和源极间的电流可以流动。
然而，如果栅极与源极之间的电压是负值，将会阻止电子从源极移动到漏极，因此导致MOS管的导通关闭。这是因为当栅极和源极间的电压为负值时，负载电荷远离PN结，不再形成导电通道，阻碍电流流动。
因此，从原则上讲，MOS管是不允许反向电流流动的。这样的设计有助于保护电源和防止电路元件的损坏。然而，在实际应用中，当反向电压过大时，会发生击穿现象，导致通常情况下不允许的反向电流。这种击穿现象会引起器件的烧毁，因此导致设备故障。
另一方面，MOS管的体二极管是MOS器件的一个特殊组成部分。当栅极与源极之间的电压为零时，栅极和源极之间的PN结形成了一个二极管，称为体二极管。这种二极管的特点是耗能较低，电流流动时损耗较小。
MOS管的体二极管可承受的电流的大小取决于它的特性和设计。具体来说，它受到以下因素的影响：
1. 材料属性：MOS管的体二极管通常由PN结构成，而PN结的材料属性会影响其电流承担接受的能力。有些MOS管能承受几百毫安的电流，而其他更高功率的MOS管则能承受数安的电流。
2. 结构设计：MOS管的结构设计也会影响其体二极管的电流承担接受的能力。例如，通过增加材料的面积或改进PN结的性质，能大大的提升体二极管的电流容量。
3. 温度：温度对MOS管的体二极管电流承担接受的能力有重要影响。通常情况下，温度越高，体二极管的电流容量越小。
综上所述，MOS管是一种半导体器件，一般不允许反向电流流动。其体二极管可承受的电流的大小取决于器件的特性和设计。在实际应用中，选择正真适合的MOS管以满足电流需求，并避免电流大于器件的限制，有助于维持电路的正常运行。
值成正比。 Cdiff = dQ/dV = [dI(V)/dV]ΓF 存储时间 PN结
在正向偏压配置下就像一个完美的导体，而在反向偏压配置下就像一个完美的绝缘
Q1断开的时候，电感的自感电动势方向是左负右正，电压和电动势方向相反，左正右负，那么从电压角度来说，
它随着温度的升高而下降。与雪崩击穿相比，齐纳击穿的V-I特性有着非常强的曲线。七、齐纳
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