据悉联发科和高通今年的高端芯片都将采用台积电的3纳米工艺，这在某种程度上预示着手机芯片行业全方面进入3纳米时代，对于苹果来说，唯一的独占优势也将失去，如果苹果不加快创新可能最后的优势也失去了。 一直以来，苹果的A系处理器都遥遥领先，凭借的就是先进的工艺和自主核心架构研发
瑞典Roxtec烙克赛克助力深圳光明区综合管廊提升安全性，高效抵御外部侵害
城市基础设施建设中的重要内容之一就是综合管廊，综合管廊是地下空间开发利用的重要渠道。近年来，深圳光明区在现有综合管廊系统的基础上，不断推进管廊连通工程建设和存量管廊的升级改造，提升地下综合管廊设施功能，加强各类管线的入廊、使用和管理，提高综合管廊的利用率
【聚焦】我国瞬态电压抑制二极管市场规模保持增长趋势 行业具有广阔消费市场
随着行业持续不断的发展，我国瞬态电压抑制二极管生产公司数持续不断的增加，生产规模逐步扩大，生产技术及生产效率不断的提高，产量一直增长。 瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件
5nm、7nm弯道超车别想！佳能纳米压印“光刻机”无法出口中国 美国封杀
快科技11月9日消息，据外国媒体报道称，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，但不会卖给中国厂商。 由于该设备能用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光学技术，引起了中国厂商的兴趣，但可能无法实现
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔
TDK 推出为 USB－C 提供完整 ESD 保护的超紧凑型 TVS 二极管
TDK 株式会社（东京证券交易所代码：6762）针对 USB－C 端口和其他高速接口的 ESD 保护应用推出一款超紧凑型TVS 二极管。对于 USB－C 等符合 USB4（第 1 版）规范且传输速度高
【洞察】纳米压印技术（NIL）在芯片制造领域应用前景较好 我国市场参与者众多
在芯片制造领域，与传统光刻技术相比，纳米压印技术具有生产效率高、制造成本低等优势，可用来制造DRAM、3D NAND等各种储存芯片。 纳米压印技术（NIL）指将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术，属于新型微纳加工技术
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
为功率电子设计人员提供带有全额迅速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 （iso－buck） 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用