（本篇文篇章共655字，阅读时间约1分钟） 台积电计划于2025年量产2纳米制程的芯片，而苹果已经积极开展基于这一先进的技术的芯片研发。 苹果目前使用的Mac和iPhone芯片采用台积电的3纳米制程，被认为是迄今为止最强大的芯片之一
Dolphin Design宣布首款支持12纳米 FinFet技术的硅片成功流片
这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快
瑞典Roxtec烙克赛克助力深圳光明区综合管廊提升安全性，高效抵御外部侵害
城市基础设施建设中的重要内容之一就是综合管廊，综合管廊是地下空间开发利用的重要渠道。近年来，深圳光明区在现有综合管廊系统的基础上，不断推进管廊连通工程建设和存量管廊的升级改造，提升地下综合管廊设施功能，加强各类管线的入廊、使用和管理，提高综合管廊的利用率
【聚焦】我国瞬态电压抑制二极管市场规模保持增长趋势 行业具有广阔消费市场
随着行业持续不断的发展，我国瞬态电压抑制二极管生产公司数持续不断的增加，生产规模逐步扩大，生产技术及生产效率不断的提高，产量一直增长。 瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件
5nm、7nm弯道超车别想！佳能纳米压印“光刻机”无法出口中国 美国封杀
快科技11月9日消息，据外国媒体报道称，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，但不会卖给中国厂商。 由于该设备能用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光学技术，引起了中国厂商的兴趣，但可能无法实现
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔
TDK 推出为 USB－C 提供完整 ESD 保护的超紧凑型 TVS 二极管
TDK 株式会社（东京证券交易所代码：6762）针对 USB－C 端口和其他高速接口的 ESD 保护应用推出一款超紧凑型TVS 二极管。对于 USB－C 等符合 USB4（第 1 版）规范且传输速度高
【洞察】纳米压印技术（NIL）在芯片制造领域应用前景较好 我国市场参与者众多
在芯片制造领域，与传统光刻技术相比，纳米压印技术具有生产效率高、制造成本低等优势，可用来制造DRAM、3D NAND等各种储存芯片。 纳米压印技术（NIL）指将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术，属于新型微纳加工技术
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
为功率电子设计人员提供带有全额迅速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮