贝博体育艾弗森代言:MOS管防护电路解析实测

  本身具有很多长处，可是MOS管具有较软弱的接受短时过载才能，特别是在高频的使用场合，所以在使用

  由于选用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的注册和关断，有或许形成功率管漏源极间的电压震动，或许有或许形成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为防止上述现象的产生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的巨细一般选取几十欧姆。该电阻能够减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或许更低)。若不加R509电阻，高压情况下便会由于mos管开关速率过快而导致周围元器材被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需求通过一段时间，高压下Rds会耗费很多的功率，而导致mos管发热反常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，削减功耗。

  由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压骤变会通过极间电容耦合到栅极而产生适当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，一起栅极很简单堆集电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中D903)以约束栅极电压在稳压管稳压值以下，维护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻(图中R516)是为了开释栅极电荷，不让电荷堆集，实测独自焊接该下拉电阻（R516）仍是不足以快速开释g极电荷，会导致mos管误触发，牢靠的放电电路还要依靠mos管g极-D507-驱动芯片地回路来进行牢靠的放电。

  尽管漏源击穿电压VDS一般都很大，但假如漏源极不加维护电路，相同有或许由于器材开关瞬间电流的骤变而产生漏极尖峰电压，然后损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为防止器材损坏，一般会用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等维护的办法，实测加上稳压管（D901）的作用要比加上RC电路的作用要好，引荐先用稳压管测验，可是此处必定不能够加tvs，加tvs会导致源极电压举高，gs损坏。

  当电流过大或许产生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会敏捷添加并超越额定值，有必要在过流极限值所规则的时间内关断功率MOS管,不然器材将被烧坏，因此在主回路添加电流采样维护电路，当电流抵达必定值，通过维护电路封闭驱动电路来维护MOS管。

  将通过mos管的电流通过采样电阻采样出来，然后将信号扩大，将扩大取得的信号和mcu给出的驱动信号通过或门操控驱动芯片的使能，在驱动电流过大时制止驱动芯片输出，然后维护mos管回路。