贝博体育艾弗森代言:SiC MOSFET在光伏逆变器的运用

  “大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”是光伏工业的趋势，光伏电站的电压等级也正逐渐从1000V提升至1500V及以上。

  更高的电压等级对功率器材的物理功能提出了更高的要求，所以在光伏逆变器中碳化硅渐渐的被重视及运用。

  相较于硅基功率器材，SiC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等长处。一起SiC能够在高温等恶劣的环境中作业，有利于进步光伏逆变器的运用寿命。

  我司引荐一款1200V 40mΩ高压低导通电阻的国产SiCMOSFET，最大漏源电流56A(Tc= 25°C)，作业结温规模-55°C～175°C，最大耗散功率不高于300W，反向电容13pF，已在多家头部客户批产，功能反应优异。

  除了SiCMOS，我司在光伏逆变器中还可供给变压器、电感定制，电流传感器数字隔离器、MOS管、运算放大器TVS、热敏电阻等国产器材的选型匹配。全芯年代努力供给最优的芯片运用和流转解决方案，欢迎您继续重视咱们！