宏微科技(688711)03月18日在投资者关系平台上答复了投资者关心的问题。
投资者：请问，MOS单管和IGBT单管在光伏领域里的适用场景的区别，比如30kw以下可以用MOS，30KW-100KW要用IGBT单管？及原因是什么呢？公司对光伏领域出货的单管都是IGBT，还是也有MOS单管？MOS单管的发展会蚕食IGBT单管在光伏领域的竞争力吗？谢谢！
宏微科技董秘：尊敬的投资者，您好！选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，是较为常见的问题，主要原因是需要从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑；MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率能够达到几百kHz、上MHZ，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高，因此二者各有优势，感谢您的关注！
宏微科技2021三季报显示，公司主要经营收入3.7亿元，同比上升56.3%；归母净利润4656.82万元，同比上升152.62%；扣非净利润3424.61万元，其中2021年第三季度，公司单季度主营收入1.36亿元，同比上升42.55%；单季度归母净利润1478.06万元，同比上升89.25%；单季度扣非净利润1159.33万元，负债率25.31%，财务费用249.93万元，毛利率22.14%。
该股最近90天内共有3家机构给出评级，买入评级2家，增持评级1家。近3个月融资净流出3324.81万，融资余额减少；融券净流出1279.34万，融券余额减少。证券之星估值分析工具显示，宏微科技（688711）好公司评级为3星，好价格评级为0.5星，估值综合评级为1.5星。(评级范围：1 ~ 5星，最高5星)
宏微科技主营业务：从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售
公司董事长为赵善麒。赵善麒,男,1962年11月出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生学历。1991年10月毕业于吉林大学半导体专业,1991年10月至1993年11月,任吉林大学博士后、副教授;1994年1月至1994年9月任北京电力电子中心副总工程师;1994年10月至1995年10月任法国INSA de Lyon博士后;1995年11月至1996年1月任法国INSA de Lyon客座副教授;1996年2月至1998年2月任北京电力电子中心常务副主任、研究员;1998年3月至2000年1月任香港科技大学研究员;2000年2月至2004年7月任美国Advanced Power Technology,Inc资深高级工程师、技术转移部总监;2004年7月至2006年月任美国Advanced Power Technology,Inc中国区首席代表兼总经理;2011年11月至今任宏电节能执行董事、总经理;2016年12月至今任启帆星执行董事;2006年8月至今任公司董事长、总经理。
证券之星估值分析提示宏微科技盈利能力平平，未来营收成长性较差。综合基本面各维度看，股价偏高。更多
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